English
Kazakh
Português (Brasil)
Русский
简体中文
Poverhnostʹ. Rentgenovskie, sinhrotronnye i nejtronnye issledovaniâ
ISSN 1028-0960 (Print)
Мәзір     Мұрағат
  • Бастапқы
  • Журнал туралы
    • Редакция тобы
    • Редакция саясаты
    • Авторларға арналған ережелер
    • Журнал туралы
  • Шығарылымдар
    • Іздеу
    • Ағымдағы шығарылым
    • Ретракцияланған мақалалар
    • Мұрағат
  • Байланыс
  • Жазылу
  • Барлық журналдар
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
  • Категориялар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер X-ray diffraction X-ray photoelectron spectroscopy atomic force microscopy channeling electron microscopy ion implantation irradiation magnetron sputtering microstructure nanoparticles neutron reflectometry optical properties phase composition scanning electron microscopy silicon structure surface surface morphology synchrotron radiation thin films zinc oxide
Ағымдағы шығарылым

№ 3 (2025)

Ақпарат
  • Оқырмандар үшін
  • Авторларға
  • Кітапханалар үшін
×
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
  • Категориялар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер X-ray diffraction X-ray photoelectron spectroscopy atomic force microscopy channeling electron microscopy ion implantation irradiation magnetron sputtering microstructure nanoparticles neutron reflectometry optical properties phase composition scanning electron microscopy silicon structure surface surface morphology synchrotron radiation thin films zinc oxide
Ағымдағы шығарылым

№ 3 (2025)

Ақпарат
  • Оқырмандар үшін
  • Авторларға
  • Кітапханалар үшін
Бастапқы > Іздеу > Автор туралы ақпарат

Автор туралы ақпарат

Andreev, D. V.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
№ 1 (2023) Articles Change in the Charge State of MOS Structures with a Radiation-Induced Charge under High-Field Injection of Electrons
№ 6 (2024) Articles Accumulation and Erase of Radiation-Induced Charge in MOS Structures
№ 3 (2025) Articles Change in the charge state of MOS structures under radiation and high-field injection at constant voltage
 

 

Developed by ECO-VECTOR

 

Powered by EVESYST

TOP